Tiristor de conmutación rápida

Descripción:

Tiristor de interruptor rápido, con la misma estructura y símbolo del tiristor de control de fase, mientras que las mejores características estáticas, especialmente las características dinámicas, son requeridas por la aplicación de alta frecuencia del circuito de rectificación, corte, inversor y conversión de frecuencia.Los parámetros dinámicos del tiristor rápido son velocidad de encendido y velocidad de expansión de encendido rápidas, menor carga de recuperación inversa y tiempo de apagado corto, alta tasa de aumento crítico de la corriente en estado (di/dt) y tasa crítica de aumento del voltaje fuera de estado (dv/dt).La corriente nominal del tiristor rápido dentro de la frecuencia nominal no disminuye o disminuye un poco cuando aumenta la frecuencia.

El estándar de fabricación de tiristores de conmutación rápida y la tecnología de procesamiento de RUNAU Electronics se introdujo desde EE. UU. desde la década de 1980, como pionero en la fabricación de tiristores en China, el equipo técnico de RUNAU había adquirido conocimientos de vanguardia y amplia experiencia en fabricación durante más de 30 años.Sobre la base del proceso de fabricación tradicional, los talentosos técnicos de RUNAU Electronics habían desarrollado la tecnología más avanzada en la fabricación de tiristores con características ventajosas de los productos europeos, la calidad y el rendimiento mejoraron enormemente, se lograron más grandes ganancias en las aplicaciones de electrónica de potencia, y se creó más valor para los socios.

Introducción:

1. fichas

El chip tiristor fabricado por RUNAU Electronics es tecnología de aleación sinterizada empleada.La oblea de silicio y molibdeno se sinterizó para su aleación con aluminio puro (99,999 %) en un entorno de alto vacío y alta temperatura.La administración de las características de sinterización es el factor clave para afectar la calidad del tiristor.El conocimiento de RUNAU Electronics además de administrar la profundidad de la unión de la aleación, la planitud de la superficie, la cavidad de la aleación y la habilidad de difusión completa, el patrón circular del anillo, la estructura especial de la puerta.También se empleó el procesamiento especial para reducir la vida del portador del dispositivo, de modo que la velocidad de recombinación del portador interno se acelere considerablemente, se reduzca la carga de recuperación inversa del dispositivo y, en consecuencia, se mejore la velocidad de conmutación.Estas medidas se aplicaron para optimizar las características de conmutación rápida, las características de estado activado y la propiedad de corriente de sobretensión.La operación de rendimiento y conducción del tiristor es confiable y eficiente.

2. Encapsulación

Mediante un control estricto de la planitud y el paralelismo de la oblea de molibdeno y el paquete externo, el chip y la oblea de molibdeno se integrarán con el paquete externo de forma firme y completa.Esto optimizará la resistencia de la sobrecorriente y la alta corriente de cortocircuito.Y la medición de la tecnología de evaporación de electrones se empleó para crear una película de aluminio gruesa en la superficie de la oblea de silicio, y la capa de rutenio chapada en la superficie de molibdeno mejorará en gran medida la resistencia a la fatiga térmica, el tiempo de vida útil del tiristor de interruptor rápido aumentará significativamente.

Especificación técnica

1. Tiristor de conmutación rápida con chip tipo aleación fabricado por RUNAU Electronics, gama de I_TAVde 200A a 4000A y V_DRM/V_RRMde 1200V a 4500V.
2. I_GT, V_GTy yo_Hson los valores de prueba a 25 ℃, a menos que se indique lo contrario, todos los demás parámetros son los valores de prueba bajo T_jm;
3. I²t=yo²F SM×tw/2, tw= Ancho de base de corriente de media onda sinusoidal.A 50 Hz, yo²t=0.005I²FSM(A²S);
4. A 60 Hz: yo_MEV(8,3 ms) = yo_MEV(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=Yo²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parámetro: