La nueva plataforma de diseño de simulación de tipos de dispositivos semiconductores de potencia se estableció recientemente en Runau.Con la asistencia de una plataforma de simulación avanzada y pruebas y análisis combinados, la investigación en profundidad sobre la estructura del dispositivo y la teoría básica relacionada se llevó a cabo de manera fructífera.El aprovechamiento de la teoría de vanguardia y la plataforma de investigación hizo que la empresa desarrollara y dominara la tecnología de procesamiento clave del chip de tiristores de 5”, GTO e IGCT.Una capacidad de proceso completa de fabricación de tiristores, diodos rectificadores, módulos schottky, IGCT, IGBT, tiristores de alta tensión y alta corriente, así como para construir la plataforma de prueba piloto para diodos de recuperación ultrarrápida, todo estuvo disponible en Runau con éxito.Otro paso sólido para construir la base de fabricación de dispositivos electrónicos de potencia en China, estamos en camino.