Tiristor de control de fase (tipo de aleación)

Descripción:

El tiristor, también conocido como rectificador de control de silicio (SCR), es un dispositivo semiconductor de alta potencia que consta de tres estructuras PN.En términos de rendimiento, el tiristor no solo tiene conductividad unidireccional, sino que también tiene una capacidad de control más valiosa que el elemento rectificador de silicio, que solo tiene dos estados de conducción y apagado, para controlar una gran potencia con poca potencia, amplificación de potencia hasta cientos o miles de vecesLa reacción es muy rápida, encendiéndose y apagándose en microsegundos.Operación sin contacto, sin chispas, sin ruido, alta eficiencia y bajo costo.Por lo tanto, especialmente en el sistema de suministro de alta potencia, el tiristor ha sido ampliamente utilizado en circuitos rectificadores, interruptores de derivación estática, interruptores de salida sin contacto y otros circuitos.

El estándar de fabricación de tiristores y la tecnología de procesamiento de RUNAU Electronics se introdujo desde EE. UU. desde la década de 1980, como pionero en la fabricación de tiristores en China, el equipo técnico de RUNAU había adquirido conocimientos de vanguardia y amplia experiencia en fabricación durante más de 30 años.Sobre la base del proceso de fabricación tradicional, los talentosos técnicos de RUNAU Electronics habían desarrollado la tecnología más avanzada en la fabricación de tiristores con características ventajosas de los productos europeos, la calidad y el rendimiento mejoraron enormemente, se lograron más grandes victorias en la aplicación de la electrónica de potencia. y se creó más valor para los socios.

Introducción:

1. fichas

El chip tiristor fabricado por RUNAU Electronics es tecnología de aleación sinterizada empleada.La oblea de silicio y molibdeno se sinterizó para su aleación con aluminio puro (99,999 %) en un entorno de alto vacío y alta temperatura.La administración de las características de sinterización es el factor clave para afectar la calidad del tiristor.El conocimiento de RUNAU Electronics, además de gestionar la profundidad de la unión de la aleación, la planitud de la superficie, la cavidad de la aleación y la habilidad de difusión completa, la compuerta central, el patrón circular del anillo, se aplicaron para permitir la operación de conducción confiable y de alta eficiencia del tiristor, con el fin de garantizar el rendimiento de alta calidad.

2. Encapsulación

Mediante un control estricto de la planitud y el paralelismo de la oblea de molibdeno y el paquete externo, el chip y la oblea de molibdeno se integrarán con el paquete externo de forma firme y completa.Esto optimizará la resistencia de la sobrecorriente y la alta corriente de cortocircuito.Y la medición de la tecnología de evaporación de electrones se empleó para crear una película de aluminio gruesa en la superficie de la oblea de silicio, y la capa de rutenio chapada en la superficie de molibdeno mejorará en gran medida la resistencia a la fatiga térmica, el tiempo de vida útil del tiristor aumentará significativamente.

Especificación técnica

1. Tiristor de control de fase con chip tipo aleación fabricado por RUNAU Electronics, gama de I_TAVde 300A a 6000A y V_DRM/V_RRMde 800V a 4400V.
2. I_GT, V_GTy yo_Hson los valores de prueba a 25 ℃, a menos que se indique lo contrario, todos los demás parámetros son los valores de prueba bajo T_jm;
3. I²t=yo²F SM×tw/2, tw= Ancho de base de corriente de media onda sinusoidal.A 50 Hz, yo²t=0.005I²FSM(A²S);
4. A 60 Hz: yo_MEV(8,3 ms) = yo_MEV(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=Yo²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parámetro: