1. GB/T 4023—1997 Dispositivos discretos de dispositivos semiconductores y circuitos integrados Parte 2: diodos rectificadores
2. GB/T 4937—1995 Métodos de prueba climáticos y mecánicos para dispositivos semiconductores
3. JB/T 2423—1999 Dispositivos semiconductores de potencia - Método de modelado
4. JB/T 4277—1996 Empaquetado de dispositivos semiconductores de potencia
5. Método de prueba de diodo rectificador JB/T 7624—1994
1. Nombre del modelo: el modelo del diodo de soldadura se refiere a las normas de JB/T 2423-1999, y el significado de cada parte del modelo se muestra en la Figura 1 a continuación:
2. Símbolos gráficos e identificación de terminal (sub)
Los símbolos gráficos y la identificación del terminal se muestran en la Figura 2, la flecha apunta al terminal del cátodo.
3. Forma y dimensiones de instalación
La forma del diodo soldado es convexa y de tipo disco, y la forma con el tamaño debe cumplir con los requisitos de la Figura 3 y la Tabla 1.
Artículo | Dimensión (mm) | ||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
Brida de cátodo (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
Mesa de cátodo y ánodo(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
Diámetro máximo del anillo de cerámica(D2máximo) | 55.5 | 71.5 | 90 |
Espesor total (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
Orificio de posición de montaje | Diámetro del orificio: φ3,5 ± 0,2 mm, profundidad del orificio: 1,5 ± 0,3 mm | ||
Nota: dimensión y tamaño detallado consultar |
1. Nivel de parámetro
La serie de voltaje pico repetitivo inverso (VRRM) es como se especifica en la Tabla 2
Tabla 2 Nivel de voltaje
VRRM(V) | 200 | 400 |
Nivel | 02 | 04 |
2. Valores límite
Los valores límite deberán cumplir con la Tabla 3 y se aplicarán a todo el rango de temperatura de funcionamiento.
Tabla 3 Valor límite
Valor límite | Símbolo | Unidad | Valor | |||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
Temperatura de la caja | caso | ℃ | -40~85 | |||
Temperatura de unión equivalente (máx.) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
Temperatura de almacenamiento | Tstg | ℃ | -40~170 | |||
Voltaje inverso máximo repetitivo (máx.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
Voltaje pico no repetitivo inverso (máx. | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
Corriente media directa (máx.) | IF(AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
Corriente de sobretensión directa (no repetitiva) (máx.) | IMEV | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
I²t (máx.) | yo | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
Fuerza de montaje | F | kN | 22~24 | 30~35 | 45~50 | 52~57 |
3. Valores característicos
Tabla 4 Valores característicos máx.
Carácter y condición | Símbolo | Unidad | Valor | |||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
Tensión máxima directaIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
Corriente pico repetitiva inversaTj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
Resistencia térmica Unión a caja | Rjc | °C/W | 0.01 | 0.006 | 0.004 | 0.004 |
Nota: para requerimiento especial consultar |
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