Paquete de prensa IGBT
Paquete de prensa IGBT (IEGT)
| TIPO | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc °C/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1,66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1,90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
Nota:D- con dparte de yodo, A-sin parte de diodo
Convencionalmente, los módulos IGBT de contacto de soldadura se aplicaron en el equipo de conmutación del sistema de transmisión de CC flexible.El paquete del módulo es una disipación de calor de un solo lado.La capacidad de potencia del dispositivo es limitada y no es adecuada para conectarse en serie, poca vida útil en aire salado, poca vibración antichoque o fatiga térmica.
El nuevo tipo de dispositivo IGBT press-contact de alta potencia press-pack no solo resuelve por completo los problemas de vacancia en el proceso de soldadura, fatiga térmica del material de soldadura y baja eficiencia de disipación de calor de un solo lado, sino que también elimina la resistencia térmica entre varios componentes, minimizar el tamaño y el peso.Y mejore significativamente la eficiencia de trabajo y la confiabilidad del dispositivo IGBT.Es bastante adecuado para satisfacer los requisitos de alta potencia, alto voltaje y alta confiabilidad del sistema de transmisión de CC flexible.
La sustitución del tipo de contacto de soldadura por IGBT press-pack es imprescindible.
Desde 2010, Runau Electronics se elaboró para desarrollar un nuevo tipo de dispositivo IGBT de paquete a presión y lograr la producción en 2013. El desempeño fue certificado por calificación nacional y se completó el logro de vanguardia.
Ahora podemos fabricar y proporcionar IGBT de paquete a presión en serie de rango IC en 600A a 3000A y rango VCES en 1700V a 6500V.Se espera una espléndida perspectiva de IGBT de paquete a presión fabricado en China para ser aplicado en el sistema de transmisión de CC flexible de China y se convertirá en otro hito de clase mundial de la industria de electrónica de potencia de China después del tren eléctrico de alta velocidad.
Breve introducción del modo típico:
1. Modo: paquete de prensa IGBT CSG07E1700
●Características eléctricas después del envasado y prensado
● Inversaparaleloconectadodiodo de recuperación rápidaconcluido
● Parámetro:
Valor nominal (25 ℃)
a.Voltaje del emisor del colector: VGES = 1700 (V)
b.Voltaje del emisor de puerta: VCES = ± 20 (V)
C.Corriente del colector: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Disipación de energía del colector: PC = 4440 (W)
mi.Temperatura de unión de trabajo: Tj=－20~125℃
F.Temperatura de almacenamiento: Tstg=－40~125℃
Nota: el dispositivo se dañará si supera el valor nominal
EléctricoCcaracteristicas, TC=125℃，Rth (resistencia térmica deunión acaso）no incluido
a.Corriente de fuga de puerta: IGES=±5（μA）
b.Corriente de bloqueo del emisor del colector ICES=250（mA）
C.Voltaje de saturación del emisor del colector: VCE (sat) = 6 (V)
d.Voltaje de umbral del emisor de puerta: VGE (th) = 10 (V)
mi.Tiempo de encendido: Ton=2.5μs
F.Tiempo de apagado: Toff=3μs
2. Modo: paquete de prensa IGBT CSG10F2500
●Características eléctricas después del envasado y prensado
● Inversaparaleloconectadodiodo de recuperación rápidaconcluido
● Parámetro:
Valor nominal (25 ℃)
a.Voltaje del emisor del colector: VGES = 2500 (V)
b.Voltaje del emisor de puerta: VCES = ± 20 (V)
C.Corriente de colector: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Disipación de energía del colector: PC = 4800 (W)
mi.Temperatura de unión de trabajo: Tj=－40~125℃
F.Temperatura de almacenamiento: Tstg=－40~125℃
Nota: el dispositivo se dañará si supera el valor nominal
EléctricoCcaracteristicas, TC=125℃，Rth (resistencia térmica deunión acaso）no incluido
a.Corriente de fuga de puerta: IGES=±15（μA）
b.Corriente de bloqueo del emisor del colector ICES=25（mA）
C.Voltaje de saturación del emisor del colector: VCE (sat) = 3.2 (V)
d.Voltaje de umbral del emisor de puerta: VGE (th) = 6.3 (V)
mi.Tiempo de encendido: Ton=3.2μs
F.Tiempo de apagado: Toff=9.8μs
gramo.Voltaje directo de diodo: VF = 3.2 V
H.Tiempo de recuperación inversa del diodo: Trr=1,0 μs
3. Modo: paquete de prensa IGBT CSG10F4500
●Características eléctricas después del envasado y prensado
● Inversaparaleloconectadodiodo de recuperación rápidaconcluido
● Parámetro:
Valor nominal (25 ℃)
a.Voltaje del emisor del colector: VGES = 4500 (V)
b.Voltaje del emisor de puerta: VCES = ± 20 (V)
C.Corriente de colector: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Disipación de energía del colector: PC = 7700 (W)
mi.Temperatura de unión de trabajo: Tj=－40~125℃
F.Temperatura de almacenamiento: Tstg=－40~125℃
Nota: el dispositivo se dañará si supera el valor nominal
EléctricoCcaracteristicas, TC=125℃，Rth (resistencia térmica deunión acaso）no incluido
a.Corriente de fuga de puerta: IGES=±15（μA）
b.Corriente de bloqueo del emisor del colector ICES=50（mA）
C.Voltaje de saturación del emisor del colector: VCE (sat) = 3.9 (V)
d.Voltaje de umbral del emisor de puerta: VGE (th) = 5.2 (V)
mi.Tiempo de encendido: Ton=5.5μs
F.Tiempo de apagado: Toff = 5,5 μs
gramo.Voltaje directo del diodo: VF = 3.8 V
H.Tiempo de recuperación inversa del diodo: Trr=2,0 μs
Nota:Press-pack IGBT es una ventaja en alta confiabilidad mecánica a largo plazo, alta resistencia al daño y las características de la estructura de conexión a presión, es conveniente para ser empleado en un dispositivo en serie y, en comparación con el tiristor GTO tradicional, IGBT es un método de accionamiento por voltaje .Por lo tanto, es fácil de operar, seguro y con un amplio rango de operación.